Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА С ПОМОЩЬЮ ОПТИЧЕСКОГО МОНИТОРИНГА, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Волков П.В.1
  • Зеленцов С.В.2
  • Королёв С.А.3
  • Лукьянов А.Ю.4
  • Охапкин А.И.5
  • Тропанова А. Н.6
стр. 44-49
Платно
1 Институт биохимии им. А.Н. Баха РАН, 2 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 3 Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижегородская область, Кстовский район, д. Афонино., 5 Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия, 6 Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Институт физики микроструктур Российской АН
  • В выпуске: №1, 2017, Том 46
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2017
Аннотация:
Исследованы особенности травления фоторезиста в индуктивно-связанной плазме в разных режимах, включая режим, используемый для травления структур на основе GaN. Непрерывный in situ контроль толщины фоторезиста, морфологии поверхности и температуры подложки осуществлялся с помощью оптической рефлектометрии и низкокогерентной интерферометрии. Показано, что скорость травления фоторезиста не постоянна, а уменьшается в ходе процесса, что помимо всего прочего связано с разогревом подложки. Выявлено, что импульсный режим травления позволяет исключить развитие шероховатости, наблюдаемое в непрерывном режиме. Сравнение полученных данных о скоростях травления фоторезиста с характерными скоростями травления GaN, проводимого в тех же условиях, позволило определить технологические параметры и толщину фоторезиста, необходимые для проведения указанного процесса травления в оптимальном режиме.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.