Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Отклик термоэлектрических параметров пленок BiSb| Teна вторичную рекристаллизацию, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Бойков Ю.А.1
  • Данилов В.А.2
стр. 1018-1020
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, 117342 Москва, Россия
Аннотация:
Методом дискретного испарения на подложках из слюды (мусковит) сформированы пленки BiSbTeтолщиной 1.2 мкм. Средний латеральный размер кристаллитов в свежевыращенных пленках ~ 800 нм. Плоскость (0001) в кристаллитах преимущественно ориентирована параллельно плоскости подложки. После термообработки в атмосфере аргона эффективный латеральный размер кристаллитов, в которых ось третьего порядка перпендикулярна плоскости подложки, увеличивался в 3-5 раз, причем последние были четко преимущественно ориентированы и в плоскости подложки. Параметр термоэлектрической мощности пленок BiSbTe, после их термообработки в инертной атмосфере возрастал примерно вдвое и имел значения, близкие к его величине для соответствующих монокристаллов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.