Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Анизотропия термоэдс в высших силицидах переходных металлов, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Кузнецова В.С.1
  • Зайцев В.К.2
  • Соломкин Ф.Ю.3
  • Новиков С.В.4
стр. 1014-1017
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук; Академический университет Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН 119071, Москва, Ленинский просп., 31
Аннотация:
Применена новая методика измерения анизотропии термоэдс с использованием поликристаллов, основанная на многократном измерении ансамбля микрокристаллов при их случайной ориентации и статистической обработке результатов измерений. С использованием поликристаллов измерена анизотропия термоэдс ряда высших силицидов переходных металлов (?-FeSi, легированного MnSi, ReSi, CrSi). В кристаллах ?-FeSi может возникать очень большая величина анизотропии термоэдс, в кристаллах ReSi возможна термоэдс различного знака, в CrSi установлена сильная зависимость абсолютной величины термоэдс и ее анизотропии от температурных режимов термообработки. Измерены температурные зависимости электропроводности и термоэдс иголок CrSi. Анизотропия термоэдс в них, так же как и в объемных монокристаллах, сохраняется в широком интервале температур.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.