Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Орехов А.С.1
  • Камилов Т.С.2
  • Ибрагимова Б.В.3
  • Ивакин Г.И.4
  • Клечковская В.В.5
стр. 740-743
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, г. Москва, 2 Ташкентский государственный технический университет, 3 Ташкентский государственный технический университет, 4 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Федерального научно-исследовательского центра „Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, 5 Институт кристаллографии РАН, Москва
Аннотация:
Проведен сравнительный анализ структурных особенностей пленок высшего силицида марганца, выращенных методом диффузионного легирования монокристаллических подложек кремния парами марганца в запаянной ампуле и проточном кварцевом реакторе при постоянной откачке. Методами растровой электронно-ионной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показано, что в откаченной ампуле формируется однофазная текстурированная пленка высшего силицида марганца. Изменение условий роста со стационарных (ампула) на квазистационарные (реактор) приводит к формированию поликристаллических островков высшего силицида марганца с наноразмерными включениями фазы моносилицида марганца.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.