Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Гальваномагнитные свойства тонких пленок BiSbiна различных подложках, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Комаров В.А.1
  • Суслов А.В.2
  • Суслов М.В.3
стр. 736-739
Платно
1 Научно-исследовательский институт оптико-электронного приборостроения, 188540 Ленинградская обл., Сосновый Бор, Россия, 2 Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, 3 Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена
Аннотация:
Представлены результаты исследования гальваноматаитных свойств тонких блочных пленок BiSbi на подложках с различным коэффициентом температурного расширения. Выявлено большое влияние различия температурного расширения материала пленки и подложки на гальваномагнитные свойства пленок. Анализ свойств пленок в рамках двухзонной модели показал, что различие свойств пленок на различных подложках связано с изменением концентрации и подвижности носителей заряда. Показано, что для исследованного состава пленок уменьшение коэффициента температурного расширения материала подложки приводит к уменьшению концентрации носителей заряда, что указывает на значительное отличие в изменении зонной структуры пленок по сравнению с изменениями, происходящими при увеличении концентрации сурьмы.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.