Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Рехвиашвили С.Ш.1
  • Алиханов А.А.2
стр. 787-791
Платно
1 Научно-исследовательский институт прикладной математики и автоматизации Кабардино-Балкарского НЦ РАН, 2 Институт прикладной математики и автоматизации
Аннотация:
На основе дифференциального уравнения в частных производных дробного порядка проведено моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковом слое с фрактальной структурой под действием продольного переменного электрического поля. В рамках модели показано, что в слоях с фрактальной структурой имеют место уширение и асимметрия пространственно-временных распределений носителей заряда. При определенных условиях наблюдается эффект удвоения частоты осцилляций заряда во внешнем переменном электрическом поле.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.