Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Галиев Г.Б.1
  • Клочков А.Н.2
  • Васильевский И.С.
  • Климов Е.А.3
  • Пушкарев С.С.4
  • Виниченко А.Н.5
  • Хабибуллин Р.А.6
  • Мальцев П.П.7
стр. 792-797
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 2 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 4 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, 5 Национальный исследовательский ядерный университет „МИФИ", 6 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 7 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия.
Аннотация:
Сравниваются электронные транспортные и оптические свойства гетероструктур с приповерхностной квантовой ямой InGaAs/InAlAs при использовании инвертированного (снизу от квантовой ямы) и стандартного (сверху от квантовой ямы) ?-легирования атомами Si. Показано, что при использовании инвертированного легирования происходит увеличение плотности двумерных электронов в квантовой яме по сравнению со стандартным расположением легирующего слоя при идентичных составах и толщинах других слоев гетероструктур. Наблюдаемые особенности низкотемпературного электронного транспорта (осцилляций Шубникова-де-Гааза, эффекта Холла) и спектров фотолюминесценции гетероструктур интерпретированы с помощью моделирования зонной структуры.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.