Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Клочко Н.П.1
  • Копач В.Р.2
  • Хрипунов Г.С.3
  • Корсун В.Е.4
  • Волкова Н.Д.5
  • Любов В.Н.6
  • Кириченко М.В.7
  • Копач А.В.8
  • Жадан Д.О.9
  • Отченашко А.Н.10
стр. 821-829
Платно
1 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 2 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 3 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 4 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 5 Национальный аэрокосмический университет „Харьковский авиационный институт", 6 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 7 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 8 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 9 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт", 10 Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт"
Аннотация:
В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура р-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365-370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/р-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление R · S = 879Ом· см, последовательное сопротивление R · S = 8.5Ом· см, коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера р-n-перехода Ф = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода ? = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 < U < 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения J составили 6.4 · 10мА · см для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7 · 10 мА · см для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.