Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «0 пределе инжектирующей способности кремниевых р+- n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Мнацаканов Т.Т.1
  • Левинштейн М.Е.2
  • Шуман В.Б.3
  • Середин Б.М.4
стр. 830-834
Платно
1 Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, , 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова
Аннотация:
С учетом совокупности нелинейных физических эффектов: электронно-дырочного рассеяния, оже-рекомбинации, сужения ширины запрещенной зоны, нелинейной зависимости времени жизни и подвижности носителей от легирования получены аналитические выражения, описывающие зависимости тока утечки р+- и-перехода от уровня легирования р+-области. Показано, что эта зависимость имеет минимум, при котором инжекционная способность перехода максимальна. Проанализирована зависимость положения точки экстремума от основных параметров сильно легированного материала. Полученные результаты позволяют оптимизировать структуру мощных кремниевых приборов и облегчить адекватность оценки численных расчетов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.