Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Горшков А.П.1
  • Волкова Н.С.2
  • Воронин П.Г.3
  • Здоровейщев А.В.4
  • Истомин Л.А.5
  • Павлов Д.А.6
  • Усов Ю.В.7
  • Левичев С.Б.8
стр. 1447-1450
Платно
1 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 2 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 3 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 4 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 5 Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 6 Московский государственный университет, 7 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 8 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.