Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Звонков Б.Н.1
  • Байдусь Н.В.2
  • Некоркин С.М.3
  • Вихрова О.В.4
  • Здоровейщев А.В.5
  • Кудрин А.В.6
  • Котомина В.Е.7
стр. 1443-1446
Платно
1 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 2 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 3 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского,, 4 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 5 Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского, 6 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 7 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета
Аннотация:
Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны ~ 800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.