Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «DESIGN OF X-BAND MMIC LOW-NOISE AMPLIFIER IN GAAS-BASED 0.5 UM PHEMT TECHNOLOGY»

Авторы:
  • Лосев В.В.1
  • Кондратенко А.В.2
  • Сорвачев П.С.3
  • Кулиш А.М.4
стр. 36-43
Платно
1 НИУ МИЭТ, 2 ФГБУ “Научно-исследовательский институт молекулярной биологии и биофизики” СО РАМН, Новосибирск, 3 Акционерное общество «Микроволновые системы», 4 АО «НИИМЭ»
Ключевые слова:
  • GAAS
  • PHEMT
  • LOW-NOISE AMPLIFIER
  • MICROWAVE
  • MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
Аннотация:
One of the most important functional units of the receiving tract as part of the transceivers is a Low-Noise Amplifier (LNA). This paper presents the design process of a X-band (8…12 GHz) Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) LNA. The design was carried out using the Process Design Kit of the GaAs-based pHEMT05D technological process of JSC «Svetlana-Rost». The active nonlinear elements in this technological process are depletion mode pseudomorphic high electron mobility transistors with a 0,5-microns gate length.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.