Статья «ОПРЕДЕЛЕНИЕ LC ПАРАМЕТРОВ КОРПУСА ИМС МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ С ЦЕЛЬЮ ПОСТРОЕНИЯ ВЫСОКОТОЧНОЙ МОДЕЛИ ВЫВОДА КОРПУСА НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Кристаллы интегральных микросхем для защиты от влияния окружающей среды чаще всего помещаются в корпус. При этом корпус, исполняющий положительную роль защиты от внешних воздействий, отрицательно влияет на частотные и ряд других характеристик микросхем. Так, с увеличением частоты начинают проявляться негативные эффекты, связанные с целостностью сигнала – перекрестные помехи, возникновение резонансов, связанных с одновременным переключением цифровых блоков, шумы – дребезг земли и др. Для предотвращения данных проблем требуется учитывать параметры используемого корпуса на этапе разработки схемотехники. В данной работе результаты полноволнового трехмерного электромагнитного моделирования методом конечных элементов в частотной области LGA корпуса микросхем используются для построения RLC модели вывода корпуса, которая затем дорабатывается с целью достижения большей точности модели на высоких частотах. Применение данной оптимизации позволило повысить точность модели в диапазоне частот более чем в 3 раза.