Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «БАРЬЕРНЫЕ СВОЙСТВА ОСТАТОЧНОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ НИЗКОВОЛЬТНЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ ДИФФУЗИЕЙ МЫШЬЯКА В СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Скорняков С.П.1
стр. 41-43
Платно
1 АО «НЗПП с ОКБ»
Аннотация:
Исследовано негативное влияние толщины остаточного/естественного оксида кремния (SiO) в «окнах» защитного оксида кремния на результаты формирования низковольтных планарных p-n-структур высококонцентрационной диффузией As в в сильнолегированный кремний в условиях эвакуированной кварцевой ампулы: на величину и воспроизводимость величины напряжения пробоя (U) НВ p-n-переходов от процесса к процессу. Показано, что SiO толщиной свыше ~50 ? – практически непреодолимый барьер для достижения атомами мышьяка поверхности кремния, диффузии As в кремний. Для получения удовлетворительных результатов по величине и воспроизводимости величины электрических параметров низковольтных планарных p-n-структур, получаемых диффузией As из неограниченного источника в условиях эвакуированной ампулы, толщина SiO не должна превышать ~25 ?. Предложены технологические решения по ограничению толщины SiO.

Предоставляются только метаданные.