Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОТЖИГОВ НА ПАРАМЕТРЫ НИЗКОВОЛЬТНЫХ ДИФФУЗИОННЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Скорняков С.П.1
стр. 37-40
Платно
1 АО «НЗПП с ОКБ»
Аннотация:
Исследовано влияние низкотемпературных (НТ) отжигов в диапазоне температур (400…950) °С на электрические параметры низковольтных p-n-структур, формируемых высококонцентрационной диффузией мышьяка из неограниченного источника в условиях эвакуированной кварцевой ампулы. Показано, что в зависимости от температуры отжига напряжение пробоя p-n-структур (U) можно как повышать, так и снижать на некоторую величину. Наблюдаемый эффект объясняется наличием легирующей примеси, в данном случае As, в высококонцентрационном диффузионном слое не только в активной, но и в пассивной формах – в виде метастабильных кластеров, которые могут быть частично активированы в результате НТ отжигов. Эффект НТ трансформации кластеров имеет обратимый характер и может быть использован в интересах производства низковольтных прецизионных стабилитронов для тонкой коррекции величины напряжения пробоя (U) НВ р-n-структур. Корректировка величины U может быть проведена как на стадии изготовления пластин с НВ р-n-структурами, так и стабилитронов в стеклянных корпусах, изготовленных на основе НВ р-n-структур.

Предоставляются только метаданные.