Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ТРАНСПОРТА ЗАРЯДА В БЕСФОРМОВОЧНОМ МЕМРИСТОРЕ НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ С РАЗНЫМИ ТИПАМИ МЕТАЛЛА ВЕРХНЕГО ЭЛЕКТРОДА, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Красников Г.Я.1
  • Орлов О.М.2
  • Макеев В.В.3
стр. 42-46
Платно
1 ОАО “НИИМЭ и МИКРОН”, 2 Московский физико-технический институт (государственный университет), 3 ОАО Научно-исследовательский институт космического приборостроения (ОАО “НИИ КП”) Российская Федерация, 111250, Москва, ул. Авиамоторная, 53
Аннотация:
Мемристорная резистивная память с произвольным доступом (ReRAM, Resistive Random Access Memory) вместе с памятью с изменением фазового состояния (PCM, Phase Change Memory), магниторезистивной памятью с произвольным доступом (MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory), сегнетоэлектрической памятью (FeRAM, Ferroelectric Memories) [4] являются востребованными видами энергонезависимой памяти на новых альтернативных принципах. Нитрид кремния является перспективным резистивным переключающим слоем для мемристоров. В данной работе проведено экспериментальное исследование эффекта переключения и переноса заряда в мемристоре на основе нитрида кремния для разных типов металла (Ni, Co, Cu) верхнего электрода.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.