Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ НИТРИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Васильев В.Ю.1
стр. 31-41
Платно
1 Новосибирский Государственный Технический Университет, кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники (ППиМЭ)
Аннотация:
Выполнен обзор информационных источников с глубиной поиска 25 лет по результатам экспериментальных исследований процессов атомно-слоевого осаждения тонких слоев нитрида кремния с термической и плазменной активацией для применения в современных микро- и наноэлектронных технологиях.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.