Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ПОВЫШЕНИЕ СТОЙКОСТИ КМОП КНИ МИКРОСХЕМ К ДОЗЕ РАДИАЦИИ МЕТОДОМ ПОДАЧИ НА ПОДЛОЖКУ УПРАВЛЯЕМОГО ОТРИЦАТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Рыбалко Е.С.1
  • Мещанов В.Д.2
  • Шелепин Н.А.3
  • Лагаев Д.А.4
стр. 60-68
Платно
1 ООО «НИИМЭ-МД», 2 ООО «НИИМЭ-МД», 3 ООО «НИИМЭ-МД», 4 АО «НИИМЭ»; НИУ «МИЭТ»
Аннотация:
Рассмотрено влияние отрицательного напряжения, подаваемого на подложку КМОП КНИ микросхем, на их радиационно-индуцированный ток утечки. Предложена методика ограничения радиационно-индуцированного тока утечки управляемым отрицательным напряжением смещения подложки. Рассмотрены особенности конструкции генератора управляемого напряжения смещения подложки, предназначенного для использования в составе микросхем с повышенной радиационной стойкостью. Приведены результаты исследования образцов КМОП КНИ микросхем, показывающие эффективность применения генератора управляемого напряжения.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.