Войти в личный кабинет
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти в личный кабинет
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР INALGAPAS/GAAS, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Алфимова Д.Л.1
  • Лунина М.Л.2
  • Чеботарев С.Н.3
  • Пащенко А.С.4
  • Лунин Л.С.5
  • Арустамян Д.А.6
  • Казакова А.Е.7
стр. 71-77
Платно
1 Южный научный центр Российской академии наук, 2 Южный научный центр Российской академии наук, 3 Южный научный центр Российской академии наук, 4 Южный научный центр Российской академии наук, 5 Южный научный центр Российской академии наук, 6 Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, 7 Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова
Ключевые слова:
  • гетероструктуры InAlGaPAs/GaAs
  • метод зонной перекристаллизации в поле градиента температуры
  • упругие напряжения
  • коэффициент термического расширения
  • кривая дифракционного отражения
  • nAlGaPAs/GaAs heterostructures
  • temperature-gradient zone recrystallization
  • elastic stresses
  • thermal expansion coefficient
  • diffraction reflection curve
Аннотация:
Обсуждается влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Определены основные параметры выращивания: температура роста и ее градиент, толщина жидкой зоны, согласование параметров решетки и коэффициентов термического расширения слоя и подложки, плотность дислокаций в подложке.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%