Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Кожухов А.С.1
  • Щеглов Д.В.2
  • Латышев А.В.3
стр. 443-445
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск., 2 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 3 105005 Москва, ул. Радио, 10а, МГОУ
Аннотация:
Предложена и обоснована методика обратимого изменения свойств поверхности зондом атомно-силового микроскопа, когда при локальном изменении поверхностного потенциала образца под зондом атомносилового микроскопа не происходит заметных механических или топографических изменений. На основе предложенной методики установлена возможность контролируемого относительного изменения омического сопротивления канала в мосте Холла в пределах 20-25%.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.