Статья «Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при Т = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок a-Si:Н слабой подсветкой на начальном этапе релаксации, "Физика и техника полупроводников"»

Исследуется влияние слабой подсветки на начальном этапе релаксации метастабильной фотоиндуцированной при T = 425 K темновой проводимости нелегированной пленки a-Si:H на скорость ее последующей термической релаксации. Установлено, что кинетика релаксации после подсветки и без нее описывается растянутыми экспонентами с величинами параметров т и р, меньшими в случае подсветки. Показано, что уменьшение этих параметров увеличивает скорость термической релаксации метастабильной темновой проводимости пленки. Так как температура и интенсивности освещения, при которых проводились исследования, невелики, изменения скорости релаксации метастабильной проводимости вряд ли связаны с существенной структурной перестройкой аморфной сетки. Однако это может быть обусловлено изменением системы водородных связей, в частности, в результате процессов генерации и релаксации подсветкой медленных фотоиндуцированных дефектов.