Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Зайцева Э.Г.1
  • Наумова О.В.2
  • Фомин Б.И.3
стр. 446-452
Платно
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 3 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Аннотация:
Исследована подвижность электронов pg в инверсионных слоях двухзатворных полностью обедняемых КНИ (кремний-на-изоляторе) МОП транзисторов в зависимости от плотности индуцированных носителей заряда N и температуры T при разных режимах пленки КНИ со стороны одного из затворов (инверсия-обогащение). Показано, что при большой плотности индуцированных носителей заряда (N > 6 • 10см) зависимости pg(T) позволяют выделить компоненты подвижности ps, связанные с рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границы раздела пленка/диэлектрик. Зависимости pe(N) могут быть аппроксимированы степенными функциями pg(N) х N-. Определены значения показателей n зависимостей и доминирующие механизмы рассеяния электронов, индуцированных вблизи границы раздела пленки КНИ со скрытым диэлектриком, для различных интервалов N и режимов пленки со стороны поверхности.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.