Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Пархоменко Г. П.1
  • Солован М.Н.2
  • Мостовой А. И.3
  • Ульяницкий К.С.4
  • Марьянчук П.Д.5
стр. 348-357
Платно
1 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, 2 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Украина, 3 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, 4 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, 5 Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Украина
Аннотация:
Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационнорекомбинационный и туннельный, а при обратных - туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V oc = 0.26 В и ток короткого замыкания I sc = 58.7 мкА/см2 при интенсивности освещения 80 мВт/см2.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.