Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Блошкин А.А.1
  • Якимов А.И.2
  • Тимофеев В.А.3
  • Туктамышев А. Р.4
  • Никифоров А.И.5
  • Мурашов В.В.6
стр. 342-347
Платно
1 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 2 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 3 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 4 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет, 5 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 6 ФГУП «ВИАМ», Москва
Аннотация:
Методом спектроскопии адмиттанса исследованы состояния дырок в квантовых ямах Si0.7-y Ge0.3Sny /Si в диапазоне содержания олова y = 0.04 0.1. Установлено, что энергия связи дырки растет с увеличением содержания олова. В рамках 6-зонного kp-метода определены энергии размерного квантования дырок в структурах, содержащих псевдоморфный слой Si0.7-y Ge0.3Sny в матрице Si. Комбинацией результатов математического моделирования и экспериментальных данных определена величина разрыва валентной зоны на гетерогранице Si/Si0.7-y Ge0.3Sny . Установлено, что зависимость экспериментальных значений разрываVвалентных зон между псевдоморфными слоями Si0.7-y Ge0.3Sny и Si от содержания олова описывается выражением !). E exp = (0.21 ± 0.01)+ (3.35 ± 7.8 · 10-4) y эВ.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.