Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Журавлев К.С.1
  • Малин Т.В.2
  • Мансуров В.Г.3
  • Терещенко О.Е.4
  • Абгарян К.К.5
  • Ревизников Д.Л.6
  • Земляков В. Е.7
  • Егоркин В.И.8
  • Парнес Я.М.9
  • Тихомиров В.Г.10
  • Просвирин И.П.11
стр. 395-402
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск., 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск., 3 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 4 Институт физики полупроводников им. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия, 5 119333 Москва, ул Вавилова, 40, ВЦ РАН, 6 Филиал Института машиноведения им. А.А. Благонравова РАН “Научный центр нелинейной волновой механики и технологии РАН”, 7 Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 8 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, 124498, Москва, Россия, 9 ЗАО ”Светлана-Электронприбор“, 10 ЗАО ”Светлана-Электронприбор“, 11 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
Аннотация:
Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.