Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiCp+-n0-n+-диодов в режиме лавинного пробоя, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Иванов П.А.
  • Потапов А.С.1
  • Самсонова Т.П.2
  • Грехов И.В.3
стр. 390-394
Платно
1 ФГБУ «Научный центр здоровья детей» РАМН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Россия, 194021, С.-Петербург, Политехническая ул., 26
Аннотация:
Изготовлены 4 H -SiC p + n 0 n +-диоды с однородным лавинным пробоем при напряжении 1860 В. В лавинном режиме измерены импульсные вольт-амперные характеристики диодов до плотности тока 4000 А/см2. Показано,что напряжение лавинного пробоя растет при повышении температуры. Определены лавинное сопротивление диодов (8.6 · 10-2 Ом·см2), скорость дрейфа электронов в n 0-базе при полях выше 106 В/см (7.8 · 106 см/c), относительный температурный коэффициент напряжения пробоя (2.1 · 10-4 K-1).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.