Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Импульсное лазерное напыление тонких пленок Alx Ga1-x As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Лунин Л.С.1
  • Лунина М.Л.2
  • Девицкий О.В.3
  • Сысоев И.А.4
стр. 403-408
Платно
1 Южный научный центр Российской академии наук, 2 Южный научный центр Российской академии наук, 3 Северо-Кавказский Федеральный университет, 4 Северо-Кавказский федеральный университе
Аннотация:
Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al0.3Ga0.7As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al0.3Ga0.7As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p n - перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.