Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние типа и степени легирования на морфологию por -Si, полученного гальваническим травлением, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Пятилова О.В.1
  • Гаврилов С.А.2
  • Шиляева Ю.И.3
  • Павлов А.А.4
  • Шаман Ю.П.5
  • Дудин А.А.6
стр. 182-186
Платно
1 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, Москва, 2 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, Москва, 3 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, Москва, 4 NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD 20771, USA, 5 НПК “Технологический центр”, г. Зеленоград, Россия, 6 Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
Аннотация:
Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C2H5OH/H2O2 монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование por -Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик por -Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.