Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be+, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Авакянц Л.П.1
  • Боков П.Ю.2
  • Червяков А.В.3
стр. 177-181
Платно
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), 2 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), 3 ФГБУН Научный центр неврологии РАМН, Москва
Аннотация:
Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be+ с энергией 100 кэВ и дозами 1013 1015 см-2, исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300 850?C. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига > 700?C в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.