Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Магнитозависимое микроволновое поглощение в HgSe в слабых магнитных полях, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Вейнгер А.И.1
  • Тиснек Т.В.2
  • Кочман И.В.3
  • Окулов В.И.4
стр. 172-176
Платно
1 Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург
Аннотация:
Рассмотрен магниторезистивный эффект в полупроводнике HgSe : Fe в слабых магнитных полях на микроволновых частотах при низких температурах. Проанализированы отрицательная и положительная составляющие магнитопоглощения, основой которого является эффект магнитосопротивления в вырожденной зоне проводимости. Отмечены особенности экспериментов в этом диапазоне частот. Из анализа экспериментальных полевых и температурных зависимостей определены времена релаксации импульса и энергии электрона.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.