Статья «Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде, "Физика и техника полупроводников"»

Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ n -Si(100), имплантированного ионами 64Zn+ с дозой 5 1016 см-2 с энергией 50 кэВ при комнатной температуре с последующим окислением при температурах от 400 до 900?С. Визуализация поверхности проведена с помощью электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с профилированием по глубине с помощью картирования элементов методом оже-электронной спектрокопии. Анализ распределения примесных ионов в кремнии проводился на времяпролетном вторично-ионном масс-спектрометре. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовано химическое состояние атомов матрицы кремния и примесных атомов цинка и кислорода, а также уточнен фазовый состав имплантированного и отожженных образцов.После имплантации Zn наблюдаются два максимума его концентрации: на поверхности пластины и на глубине 70 нм, при этом на поверхности и в приповерхностном слое происходит образование наночастиц фазы металлического Zn и фазы ZnO с размером порядка 10 нм. После отжига в кислороде в Si вблизи поверхности обнаружена фаза ZnO · Zn2SiO4, а на глубине 50 нм фаза Zn · ZnO.