Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Рыбальченко Д.В.1
  • Минтаиров С.А.2
  • Салий Р.А.3
  • Тимошина Н.Х.4
  • Шварц М.З.5
  • Калюжный Н.А.6
стр. 94-100
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Челябинский государственный университет; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.17
Аннотация:
Методом МОС-гидридной эпитаксии созданы метаморфныеGaInAs -гетероструктуры фотопреобразователей на подложках и-GaAs. Обнаружено, что из-за разрыва валентных зон на гетерогранице p-InAlAs /p-InGaAs (широкозонное окно/эмиттер) возникает потенциальный барьер для дырок вследствие технологической сложности создания высокой концентрации активной примеси в широкозонном материале. Использование четверного твердого раствора InAlGaAs c содержанием Al < 40% позволило повысить концентрацию акцепторов в широкозонном окне до ~ 9 • 10 см и полностью нивелировать потенциальный барьер, тем самым уменьшив последовательное сопротивление прибора. Произведен расчет параметров метаморфного буфера GalnAs со ступенчатым профилем изменения содержания In, и оптимизированы параметры его эпитаксиального роста, что позволило улучшить собирание носителей заряда из области и-GaInAs и получить квантовую эффективность фотоответа на длине волны 1064 нм 83%. Фотопреобразователи, созданные на основе метаморфных гетероструктур с оптимизированными слоями широкозонного окна и метаморфного буфера, имели кпд преобразования излучения с длиной волны 1064 нм на уровне 38.5%.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.