Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние двухи трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе AB, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Мусалинов С.Б.1
  • Анзулевич А.П.2
  • Бычков И.В.3
  • Гудовских А.С.4
  • Шварц М.З.5
стр. 89-93
Платно
1 Челябинский государственный университет, 2 Челябинский государственный университет, 3 Институт динамики систем и теории управления им. В.М. Матросова СО РАН, 4 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, 5 Челябинский государственный университет; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.16
Аннотация:
Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO/SiO, и трехслойного, TiO/SiN/SiO, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO/SiO. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (ЮООВт/м), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO/SiN/SiO дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см(AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO2/SiO2, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.