Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Лундин В.В.1
  • Родин С.Н.2
  • Сахаров А.В.
  • Лундина Е.Ю.3
  • Усов С.О.4
  • Задиранов Ю. М.5
  • Трошков С.И.6
  • Цацульников А.Ф.7
стр. 101-104
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, 5 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук; Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.18
Аннотация:
Нитевидные микрокристаллические светодиодные структуры InGaN/GaN в коаксиальной геометрии длиной 400-600 мкм были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых и кремниевых подложках. Использовалась технология сверхбыстрого роста нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированного нанослоем титана. При протекании тока наблюдалась электролюминесценция микрокристаллов в сине-зеленом спектральном диапазоне.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.