Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Атомная и электронная структура поверхности CdTe(111)B -(2?3 х 4) орт, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Бекенев В.Л.1
  • Зубкова С.М.2
стр. 26-35
Платно
1 Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, 2 Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.6
Аннотация:
Впервые проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярной поверхности CdTe (111)В - (2?3 х 4) орт., заканчивающейся Те: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~ 16 А. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio расчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.