Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Рост, структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Нуриев И.Р.1
  • Мехрабова М.А.2
  • Назаров А.М.3
  • Садыгов Р.М.4
  • Гасанов Н.Г.5
стр. 36-39
Платно
1 Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, 2 Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Азербайджан, AZ 1143 Баку, пр. Г. Джавида, 33, 3 Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, 4 Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, 5 Бакинский государственный университет
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.7
Аннотация:
Проведено исследование структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных на стеклянных подложках без компенсации и с компенсацией дополнительным источником паров Те в процессе роста. Определены оптимальные условия (Тю = 1000-1100 K, T = 570-670 K) получения эпитаксиальных пленок с совершенной структурой и чистой, гладкой поверхностью, без включения второй фазы. Установлено, что на стеклянных подложках эпитаксиальные пленки растут плоскостью (111) кубической границентрированной решетки с параметром a = 6.481 А. Регулированием температуры основного и компенсирующего источников получены пленки CdTe c n- и д-типом проводимости.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.