Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Время жизни избыточного электрона в порошках Cu-Zn-Sn-Se, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Новиков Г.Ф.1
  • Гапанович М.В.2
  • Гременок В.Ф.3
  • Бочаров К.В.4
  • Tsai W.-T.5
  • Jeng Ming-Jer6
  • Chang Liann-Be7
стр. 22-25
Платно
1 Российская академия наук, Институт проблем химической физики, Московская область, Черноголовка, 2 Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, 3 Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Беларусь, 4 Институт энергетических проблем химической физики им. В.Л. Тальрозе Российской академии наук; Московский физико-технический институт (государственныйуниверситет), 5 Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 6 Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 7 Department of Electronic Engineering, Chang Gung University
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.5
Аннотация:
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц в интервале температур 200-300 K изучена кинетика гибели носителей тока в порошках Cu-Zn-Sn-Se, полученных ампульным твердофазным методом синтеза. Время жизни избыточных электронов при комнатной температуре оказалось меньше 5 нс. Энергия активации для процесса рекомбинации составила E ~ 0.054эВ.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.