Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ p?n-ПЕРЕХОДНЫХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ, "Радиотехника и электроника"»

Авторы:
  • Бердышев А.В.1
  • Мещеряков С.А.2
стр. 726-
Платно
1 Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю Российская Федерация, 394026, Воронеж, ул. 9 января, 280а, 2 Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю Российская Федерация, 394026, Воронеж, ул. 9 января, 280а
Аннотация:
Представлены результаты численного моделирования воздействия сигнала, наведенного внешним электромагнитным излучением сверхкоротких импульсов, на физические процессы в кремниевых p?n-переходных полупроводниковых структурах входных каскадов интегральных схем транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Показано, что основными процессами, влияющими на механизмы токопереноса в этих условиях, являются модуляция проводимости базы, лавинная генерация и термический разогрев. Определены потенциальные типы сбоев интегральных ТТЛ-схем под воздействием электромагнитного излучения сверхкоротких импульсов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.