Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЯВЛЕНИЯ НАКОПЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ, "Радиотехника и электроника"»

Авторы:
  • Сасункевич А.А.1
  • Сорокин Л.Н.2
  • Усыченко В.Г.3
стр. 635-
Платно
1 Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского, Российская Федерация 197082, г. Санкт-Петербург, Ждановская ул., 13, 2 Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского, Российская Федерация 197082, г. Санкт-Петербург, Ждановская ул., 13, 3 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Российская Федерация, 195251, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 29
Аннотация:
Показано, что при воздействии на транзистор последовательности относительно редких электрических импульсов, энергия которых в два и более раз меньше энергии выгорания транзистора, число импульсов, вызывающих катастрофический отказ вследствие накопления дефектов, растет экспоненциально быстро при уменьшении их энергии. Установлено, что при энергиях, сопоставимых с энергией выгорания, действует другой более интенсивный механизм разрушения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.