Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СЕНСОРЫ РАДИАЦИИ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ И ОДНОПЕРЕХОДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, "Радиотехника и электроника"»

Авторы:
  • Викулин И.М.1
  • Веремьева А. В.2
  • Горбачев В.Э.3
  • Марколенко П. Ю.4
стр. 391-394
Платно
1 Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова Украина, 65026, Одесса, ул. Дворянская, 2, 2 Одесская национальная академия связи им. А.С. Попова, 3 Академия связи Украины, 4 Одесская национальная академия связи им. А.С. Попова
Аннотация:
Экспериментально исследована возможность увеличения чувствительности сенсоров радиации на основе полевых транзисторов. Мостовая схема соединения двух транзисторов с положительным знаком радиационной чувствительности и двух - с отрицательным позволяет на порядок увеличить зависимость выходного напряжения в диагонали моста от поглощенной дозы облучения. Частотный сенсор-преобразователь радиации, собранный на однопереходном транзисторе по схеме генератора релаксационных колебаний имеет минимальное число навесных элементов. Замена задающего ток резистора в цепи эмиттера чувствительным к радиационному излучению полевым транзистором увеличивает чувствительность датчика в 5…10 раз.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.