Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ВЫСОКОДОЗОВОЕ ИОННО-ЛУЧЕВОЕ МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ АЛМАЗА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Андрианова Н.Н.1
  • Борисов А.М.2
  • Казаков В.А.3
  • Машкова Е.С.4
  • Попов В.П.5
  • Пальянов Ю.Н.6
  • Ризаханов Р.Н.7
  • Сигалаев С.К.8
стр. 34-
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, 2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, 3 Москва, Национальный исследовательский ун-т МЭИ, Мехико, Национальный политехнический ин-т, 4 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск., 6 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии имени В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск., 7 Федеральное государственное унитарное предприятие ‘'Исследовательский центр имени М.В. Кельдыша'', Москва, 8 Государственный научный центр Российской Федерации – федеральное государственное унитарное предприятие “Исследовательский центр имени М.В. Келдыша”.
Аннотация:
Приводятся результаты экспериментального исследования модификации грани (111) синтетического алмаза при высокодозовом облучении ионами Ar+ с энергией 30 кэВ. Найдено, что облучение при температуре 400°C приводит к появлению проводящего поверхностного слоя, проявляющегося в спектрах комбинационного рассеяния света в виде широкой полосы с максимумом, близким к положению характерному для G-пика графита при 1580 см-1. При этом интенсивность узкого пика алмаза при 1332 см-1 уменьшается на порядок. Ионное облучение сопровождается подавлением исходной фотолюминесценции и вызывает появление слабой фотолюминесценции со спектром, характерным для ювелирных алмазов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.