Статья «СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК SiC НА ПОДЛОЖКАХ Si МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Синтезированы тонкие пленки -SiC на поверхности подложки Si методом ионно-лучевого распыления двухкомпонентной мишени из графита и кремния. Наличие гладкой поверхности и резкой границы “пленка SiC?подложка Si” позволило определить параметры пленок SiС методом рентгеновской рефлектометрии. В результате моделирования с помощью программы Хенке?Гулликсона показано, что синтезирована пленка SiC_0.8 (толщина d = 160 нм, плотность = 3.03 г/см³, шероховатость = 0.25 нм). Методами рентгеновской дифракции и ИК-спектроскопии установлено образование нанокристаллов -SiC среднего размера, равного 5.5 нм, в слое SiС_0.8 и аморфном слое SiO₂ после отжига при температуре 1250°C в атмосфере Ar с включениями O₂. В результате моделирования с помощью программы Release показано, что после травления в кислоте HF в течение 5 мин формируется многослойная система, содержащая тонкую ровную углеродную пленку высокой плотности: C(d = 4.0 нм, = 3.7 г/см³, = 0)/SiC_0.8(d = 75.0 нм, = 3.03 г/см³, = 2.0 нм)/а-Si(d = 3.0 нм, = 2.23 г/см³, = 4.5 нм)/Si(d = , = 2.33 г/см³, = 0.6 нм).