Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «МОНОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ РАСПАД И МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ Si, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Джемилев Н.Х.1
  • Коваленко С.Ф.2
  • Максимов С.Е.3
  • Тукфатуллин О.Ф.4
  • Хожиев Ш.Т.5
стр. 89-
Платно
1 Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, 2 Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, 3 Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, 4 Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, 5 Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент
Аннотация:
При бомбардировке поверхности кремния ионами Xe+ методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследованы зависимости эмиссии и фрагментации распыленных кластеров Si с n = 1?11 от давления кислорода вблизи поверхности. Показано, что с учетом взаимной обратимости реакций образования и мономолекулярного распада процесс образования кластеров Si при ионном распылении может быть описан в рамках механизма комбинаторного синтеза.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.