Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ НАНОПЛЕНОК SiO2, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ Si ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Эргашов Ё.С.1
  • Ташмухамедова Д.А.2
  • Раббимов Э.3
стр. 38-
Платно
1 Ташкентский государственный технический университет имени Абу Райхана Беруни., 2 Ташкентский государственный технический университет имени Абу Райхана Беруни., 3 Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Республика Узбекистан
Аннотация:
В работе изучены топография, состав, электронная и кристаллическая структура поверхности нанопленок SiO2, полученных имплантацией ионов O в Si(111) в сочетании с отжигом. Установлено, что при высоких дозах (D 6 ? 1016 см-2) имплантации формируются сплошные однородные поликристаллические пленки SiO2, а при сравнительно невысоких дозах (D = 8 ? 1015 4 ? 1016 см-2) ? пленки SiO2 с регулярно расположенными наноучастками Si плотностью 1010 1011 см-2.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.