Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «МЕХАНИЗМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ АТОМОВ F C ГРУППАМИ SICF3 НА ПОВЕРХНОСТИ LOW-? ДИЭЛЕКТРИКОВ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Воронина Е.Н.1
  • Манкелевич Ю.А.2
  • Рахимова Т.В.3
стр. 23-28
Платно
1 Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова, Россия, 2 Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, 3 Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына
Ключевые слова:
  • кремнийорганические материалы
  • low-? диэлектрики
  • фторуглеродная плазма
  • моделирование
  • теория функционала плотности
  • organosilicon
  • low-? dielectrics
  • fluorocarbon plasma
  • simulation
  • density functional theory
Аннотация:
С помощью моделирования методом теории функционала плотности были исследованы возможные реакции тепловых атомов F с поверхностными группами SiCF3. Исследуемые реакции являются частью многоступенчатого механизма повреждения и травления пленок SiOCH радикалами F.?Результаты моделирования показали, что вероятным каналом удаления углеродсодержащих соединений с поверхности является образование летучего радикала CF3 и одновременное формирование поверхностной группы SiF. Вероятность отделения молекулы CF4 низка вследствие запрещающего активационного барьера ~1.4 эВ.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%