Статья «СТРУКТУРА И МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК CD1-XMNXSE, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Mетодом конденсации молекулярных пучков в вакууме (10-4 Па) на подложках из слюды и стекла были выращены эпитаксиальные пленки Cd1-xMnxSe (х = 0.03). Установлено, что при комнатной температуре подложки и равной 573 К, на подложках из слюды растут пленки с поликристаллической структурой, а на стеклянных подложках наряду с поликристаллическими одновременно образуются пленки с аморфной структурой. Показано, что поликристаллические пленки Cd1-xMnxSe (х = 0.03) в отличие от массивных образцов имеют структуру типа сфалерита с параметром решетки а = 6.05 ?. Повышение температуры подложки до 673 К приводит к эпитаксиальному росту в направлении [111]. Наблюдаемые на поверхностях пленок черные скопления были устранены с использованием компенсирующего источника паров Se в процессе роста. Определены оптимальные условия получения структурно совершенных эпитаксиальных пленок.