Статья «ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УПРУГО НАПРЯЖЕННЫХ АНСАМБЛЯХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК GE/SI, "Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронны"»

Представлены результаты исследований энергетического спектра электронов и дырок, локализованных в гетероструктурах второго типа Ge/Si с квантовыми точками Ge. В таких структурах дырки локализованы в квантовых точках Ge, а электроны – в трехмерных квантовых ямах, которые образуются в Si на границе раздела Ge–Si за счет неоднородных деформаций, возникающих вследствие различия постоянных решеток Ge и Si.?Показано, что изменения деформаций в ансамбле квантовых точек вследствие вариации их пространственного расположения значительно изменяет энергию связи электронов и место их локализации в квантовых точках, энергию связи и симметрию волновых функций дырок в двойных квантовых точках – искусственных молекулах, обменное взаимодействие электронов и дырок в составе экситонов. Практически значимым следствием представленных данных является разработка подходов к увеличению квантовой эффективности люминесценции и коэффициента поглощения в ансамбле квантовых точек.