Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ОСОБЕННОСТИ РОСТА И СВОЙСТВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ И МДП-СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ С ПРИМЕНЕНИЕМ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ INAS В ЭЛЕКТРОЛИТЕ, СОДЕРЖАЩЕМ ИОНЫ ФТОРА, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Артамонов А.В.1
  • Астахов В.П.2
  • Варлашов И. Б.3
  • Митасов П. В.4
стр. 59-66
Платно
1 Геологический институт РАН 119017, Москва, Пыжевский пер., 7, 2 ОАО “Швабе–Фотосистемы”, 117545 Москва, Россия, 3 Национальный исследовательский университет "МЭИ", 4 Национальный исследовательский университет "МЭИ"
Ключевые слова:
  • арсенид индия
  • анодное окисление
  • анодная оксидная пленка
  • распределение атомов фтора
  • МДП-структура
  • вольт-фарадная характеристика
  • эффективный поверхностный заряд
  • indium arsenide
  • anodic oxidation
  • anodic oxide film
  • fluorine atom distribution
  • MIS structure
  • capacity-voltage characteristic
  • effective surface charge
Аннотация:
Исследованы профили распределения атомов фтора по толщине диэлектрических слоев и электрофизические параметры МДП-структур, полученных с применением анодного окисления кристаллов InAs в гальваностатическом режиме при двух значениях плотности тока анодирования в электролите, содержащем ионы фтора. Обсуждаются обнаруженные при выращивании слоев особенности изменения распределения атомов фтора и эффективного поверхностного заряда на границе раздела InAs-слой.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.