Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ДИОДОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ 4H-SIC ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ С?ЭНЕРГИЕЙ 0.9 МЭВ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Лебедев А.А.1
  • Давыдовская К.С.2
  • Стрельчук А.М.3
  • Козловский В.В.4
стр. 35-37
Платно
1 Институт астрономии Российской академии наук, Москва, Россия, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН, Москва
Ключевые слова:
  • карбид кремния
  • диоды Шоттки
  • электронное облучение
  • скорость удаления носителей
  • silicon carbide
  • Schottky diodes
  • electron irradiation
  • carrier removal rate
Аннотация:
Исследована деградация параметров диодов Шоттки на основе 4Н-SiC при его облучении электронами с?энергией 0.9 МэВ. Определена скорость удаления носителей, которая составила 0.07-0.09?см-1. Показано, что исследованные диоды Шоттки сохраняют выпрямляющие вольт-амперные характеристики вплоть до доз облучения ~1017?см-2. Установлено, что радиационная стойкость диодов Шоттки на основе SiC существенно превосходит радиационную стойкость кремниевых p-i-n-диодов с?аналогичными напряжениями пробоя.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.