Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ КРЕМНИЙ-НА-САПФИРЕ, ИХ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Александров П.А.1
  • Демаков К. Д.2
  • Шемардов С. Г.3
  • Белова Н.Е.4
стр. 5-16
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение “Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, 2 Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 3 Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 4 Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Ключевые слова:
  • кремний-на-сапфире
  • ионная имплантация
  • твердофазная рекристаллизации
  • электронная микроскопия
  • рентгеновские исследования
  • эпитаксиальные пленки
  • silicon-on-sapphire
  • ion implantation
  • solid-phase recrystallization
  • electron microscopy
  • X-Ray
  • epitaxial films
Аннотация:
Дан обзор работ, посвященных методам улучшения структурного качества эпитаксиальных пленок при высокотемпературном взаимодействии водорода с кремнием и в ходе твердофазной рекристаллизации. Также рассматриваются вопросы связи качества эпитаксиального слоя и радиационной стойкости полученных на нем микросхем. Предлагается способ создания центров захвата/рекомбинации в сапфире при имплантации ионов гелия, позволяющий получать высококачественные радиационно-стойкие пленки кремния-на-сапфире.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.